规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
5,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
120V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
98A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
7.7 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4V @ 110µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
88nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
5700pF @ 60V |
功率 - 最大 |
139W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
8-PowerTDFN |
供应商器件封装 |
PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
8TDSON EP |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
120 V |
最大连续漏极电流 |
13.4 A |
RDS -于 |
7.7@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
26 ns |
典型上升时间 |
24 ns |
典型关闭延迟时间 |
41 ns |
典型下降时间 |
10 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
P( TOT ) |
139W |
匹配代码 |
BSC077N12NS3 G |
R( THJC ) |
0.9K/W |
LogicLevel |
NO |
单位包 |
5000 |
标准的提前期 |
21 weeks |
最小起订量 |
5000 |
Q(克) |
66nC |
LLRDS (上) |
n.s.Ohm |
汽车 |
NO |
LLRDS (上)在 |
n.s.V |
我(D ) |
98A |
V( DS ) |
120V |
技术 |
OptiMOS |
的RDS(on ) at10V |
0.0077Ohm |
无铅Defin |
RoHS-conform |
FET特点 |
Standard |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
13.4A (Ta), 98A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4V @ 110µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
120V |
供应商设备封装 |
PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
7.7 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
139W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
5700pF @ 60V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
88nC @ 10V |
封装/外壳 |
8-PowerTDFN |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
BSC077N12NS3 GCT |
类别 |
High Frequency Switching, Synchronous Rectification |
渠道类型 |
N |
配置 |
Quad Drain, Single Gate, Triple Source |
外形尺寸 |
5.35 x 6.1 x 1.1mm |
身高 |
1.1mm |
长度 |
5.35mm |
最大漏源电阻 |
7.7 mΩ |
最高工作温度 |
+150 °C |
最大功率耗散 |
139 W |
最低工作温度 |
-55 °C |
每个芯片的元件数 |
1 |
包装类型 |
PG-TDSON-8 |
引脚数 |
8 |
典型栅极电荷@ VGS |
66 nC V @ 0 → 10 |
典型输入电容@ VDS |
4300 pF V @ 60 |
宽度 |
6.1mm |
工厂包装数量 |
5000 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
98 A |
封装/外壳 |
TDSON-8 |
零件号别名 |
BSC077N12NS3GATMA1 SP000652750 |
下降时间 |
10 ns |
安装风格 |
SMD/SMT |
商品名 |
OptiMOS |
正向跨导 - 闵 |
80 S, 40 S |
RoHS |
RoHS Compliant |
源极击穿电压 |
20 V |
系列 |
BSC077N12 |
RDS(ON) |
7.7 mOhms |
功率耗散 |
139 W |
上升时间 |
24 ns |
漏源击穿电压 |
120 V |
栅极电荷Qg |
66 nC |